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本发明涉及区熔级多晶硅技术领域，具体公开了一种制备低内应力区熔用电子级多晶硅浸润性调控的系统，包括化学气相沉积炉、底板、石墨夹头、进料喷口、气体混合罐和调配控制组件，底板设置于化学气相沉积炉的内部，每个石墨夹头分别与底板固定连接，每个进料喷口分别与化学气相沉积炉固定连接，且每个进料喷口的输出端设置于化学气相沉积炉的内部，气体混合罐设置于化学气相沉积炉的一侧，且气体混合罐的输出端与多个进料喷口连通，调配控制组件设置于气体混合罐的一侧。对硅烷和氢气的配比调制，可以提高多晶硅的浸润性，使其均匀的进行沉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116621180 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310605793.9
(22)申请日 2023.05.23
(71)申请人 河南硅烷科技发展股份有限公司
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