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本发明提供一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板。本发明的DBR结构包括多个反射膜组，反射膜组包括依次叠置的折射率不同的第一材料层和第二材料层；其中，沿所述反射膜组的堆叠方向，DBR结构包含：第一区域及第二区域，第一材料层在第一区域和第二区域的光学厚度范围不同，第二材料层在第一区域和第二区域的光学厚度范围不同。该DBR结构还可以包括设置在反射膜组下方的第二材料层。上述第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率。通过设置材料层不同的光学厚度，上述DBR结构的第一区域对芯片内
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116632132 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310611638.8
(22)申请日 2020.11.19
(62)分案原申请数据
202080007443.7
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