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3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 正向偏置时，管压降为0V，短接 于反向偏置时，它的电阻为无穷大，电流为零，断开 在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型来近似分析是可行的。 有变化，实心 当前第63页\共有107页\编于星期一\4点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 管压降认为是恒定的， 且不随电流而变，典型值为 （0.7V-硅管） （0.2V-锗管） 当二极管的电流I D近似等于或大于1mA时才是正确的 应用较广 电池+理想模型 当前第64页\共有107页\编于星期一\4点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 为了较真实地描述二极管V-I特性，在恒压降模型的基础上，作一定的修正 . 这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V（硅管）。当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，rD的值可计算如下： 用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似 恒压降模型+电阻 当前第65页\共有107页\编于星期一\4点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 当前第66页\共有107页\编于星期一\4点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） （a）V-I特性 （b）电路模型 在Q点处vDVT =26mV， 的区别？ 当前第67页\共有107页\编于星期一\4点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 （a）V-I特性 （b）电路模型 注意使用条件： 直流部分对交流来说是短路的。 当前第68页\共有107页\编于星期一\4点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 2．模型分析法应用举例 （1）整流电路 （a）电路图 （b）vs和vO的波形 将交流整流成脉动直流 功能：？ 当前第69页\共有107页\编于星期一\4点 2．模型分析法应用举例 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 由于VDD远大于0.7V，求出的ID误差不大。 但理想模型的VD等于零，有误差。 当前第70页\共有107页\编于星期一\4点 ① 使用理想模型得 ② 使用恒压降模型得 ID = 0.049mA ，VD = 0.51V （2）VDD = 1V ③ 使用折线模型得 上例表明，在电源电压远大于二极管管压降的情况下，恒压降模型能得出较合理的结果，但当电源电压较低时，折线模型能提供较合理的结果。在实际工作中需要正确选择器件的模型。 当前第71页\共有107页\编于星期一\4点 2．模型分析法应用举例 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 理想模型 恒压降模型 恒压降模型 理想模型 当前第72页\共有107页\编于星期一\4点 2．模型分析法应用举例 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 恒压降模型 当前第73页\共有107页\编于星期一\4点 vi = 5sinωtV D1、D2为理想二极管 经常用于差动电路的输入保护 双向限幅电路 vi vo vi vo 当前第74页\共有107页\编于星期一\4点 2．模型分析法应