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- 2023-08-23 发布于四川
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提供一种等离子体处理方法。该方法具备(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，蚀刻蚀刻膜并且在掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向腔室内供给处理气体，由处理气体生成等离子体，进一步蚀刻蚀刻膜并且去除保护膜的至少一部分的工序。(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间的含碳气
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116631861 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310136971.8
(22)申请日 2023.02.20
(30)优先权数据
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