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一种减小光刻图形尺寸的工艺方法.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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一种减小光刻图形尺寸的工艺方法.pdf

    本发明公开了一种减小光刻图形尺寸的工艺方法，包括以下步骤：S1、制备具有基底单晶硅、氧化硅层和顶层单晶硅结构的晶圆；S2、在晶圆上匀涂一层光刻胶；S3、用光刻技术在光刻胶上定义图形，获得带图形的光刻胶；S4、对顶层单晶硅进行湿法刻蚀，获得带图形的顶层单晶硅；S5、通过等离子体刻蚀或者热浓硫酸溶液去除带图形的光刻胶；S6、用湿法刻蚀或等离子体刻蚀对暴露出的氧化硅层区域进行刻蚀，形成带图形的氧化硅层；S7、用等离子体刻蚀对暴露出的基底单晶硅区域进行刻蚀，获得带沟槽的基底单晶硅；S8、用HF溶液对晶圆

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116631851 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310236401.6 (22)申请日 2023.03.08 (71)申请人 中国电子科技集团

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