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- 2023-08-23 发布于四川
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本发明公开了一种垂直发射型EML芯片,属于EML芯片技术领域,包括衬底和发射柱,衬底上方设置有氧化层,氧化层上方设置有EAM‑MQW层,EAM‑MQW层上方设置有DFB‑MQW层,DFB‑MQW层上方设置有光栅层,光栅层上方设置有InP包层,InP包层上方设置有电极层,电极层上设置有EA引脚和SOA板,EAM‑MQW层至电极层间开设有垂直腔,发射柱设置在垂直腔内侧壁上,发射柱上设置有LD激光器。本发明通过EAM‑MQW层和DFB‑MQW层的设置,减少EML芯片制作的复杂性,提升EML芯片的制成速
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116632650 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310283716.6
(22)申请日 2023.03.22
(71)申请人 芯峰光电技术(深圳)有限公司
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