半导体物理期末考试试卷及答案解析.pdfVIP

我尽一杯，与君发三愿：一愿世清平，二愿身强健，三愿临老头，数与君相见。——《白居易》 最新资料推荐 半导体物理期末考试试卷及答案解析 装 订 线 安徽大学 20 09—20 10 学年第 一 学期《 半导体物理学 》考试试卷（B 卷）（闭卷时 间 120 分钟）题号一二三四五六七总分得分阅卷人学号答 题勿超装 订 线姓名专业年级一、选择题 （每小题 2 分，共 20 分）得分 1. 本 征半导体是指( )的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电子浓度和空穴浓度相等C. 电阻率高D. 电子浓度与本征载流子浓度相等2. 关于 Si 的能带特征，以下描述 错误的是 ( )。 A. 导带底位于六个等效的lt;100gt;方向 B. 价带顶位于布里 渊区中心 C. Si 是直接带隙半导体D. 导带底附件的等能面是旋转椭 球面 3. 导带底附件的状态密度为 gc (E) ，电子占据能级 E 的几 率为 fB (E) ，则导带电子浓度为( )。 A. gc (E) fB ( E ) B. gc (E) fB ( E ) dE4. 简并半导体是指 ( )的半导体。 Ec′∫ C. Ec gc (E)dE ∫ ( ) Ec′D. Ec gc (E) fB E dEA. (Ec －EF)或 (EF-Ev)≤0 B. (Ec－EF)或 (EF-Ev)≥0C. 能使用玻尔兹曼近 似计算载流子浓度 D. 导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 5. 1 / 14 好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》 以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得失。——《旧唐书·魏征列传》 对于 n 型非简并半导体，在饱和区，电阻率随温度上升而增加，可 能的原因是( )。 A. 电离杂质的散射增强B. 晶格振动散射增强第 1 页 共 5 页院/ 系 海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐 以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子·牧民》 最新资料推荐 C. 载流子浓度减少 D. 杂质没有完全电离 6. 对于小注入的 n 型半 导体，电子和空穴的准费米能级分别为 EFn 和 EFp 。 平衡态时的费米能级 EF 。 下述内容正确的是( )。 A. EFn = EFp = EF B. EFn ? EF lt; EF ? EFp 7. 有效陷阱的 能级必靠近( )。 C. EF ? EFp lt; EFn ? EFD. EFp gt; EFnA. 禁带中部 B. 导 带 C. 价带 D. 费米能级 8. 实际 p-n 结的反向电流大于理想 p-n 结的反向电流，其原因是( )。 A. 势垒区中的复合电流 B. 势垒区中的产生电流 C. 反向击穿 D. 大注入效应 9. 金属和 p 型半导体接触时，如果 Wm lt; Ws ，则半 导体表面形成( )。 A. n 型阻挡层 B. p 型阻挡层 C. n 型反阻挡层 D. p 型反阻挡 层 10. 在 p 型半导体构成的理想 MIS 结构中，当金属端所加电压 VG 大于开启电压 VT 时， 半导体表面空间电荷的特征是( )。 A. 正电荷，多子堆积 B. 负电荷，少子堆积 C. 负电荷，多子耗 尽 D. 负电荷，反型二、填空题(每空 2 分，共 28 分)得分 1、同时