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- 2023-08-24 发布于四川
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本实用新型提供一种半导体器件，包括：衬底；隔离区，所述隔离区位于所述衬底内，并定义出多个有源区；多条位线，所述多条位线位于所述衬底上；多个接触插塞，所述多个接触插塞分别位于所述多条位线之间，且所述接触插塞包括一底部，所述底部位于所述衬底的所述有源区内，所述底部与所述有源区相邻的侧面至少包括位于不同平面的第一侧面和第二侧面。通过在与有源区相邻的侧面形成多个位于不同平面的侧面，可以降低接触电阻，提高半导体器件的接触性能，从而提高半导体器件的读写速度。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219577768 U
(45)授权公告日 2023.08.22
(21)申请号 202321161166.2
(22)申请日 2023.05.15
(73)专利权人 福建省晋华集成电路有限公司
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