原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
PAGE 2
ABSTRACT
PAGE 2
H-UiO-66优化合成及其正异构烷烃吸附分离性能研究
摘 要
高纯度正庚烷（≥99%）黏度低，芳烃含量及硫、氮含量低，附加值高，在化工、医药、电子等相关行业需求量较大。我国还没有掌握完全的该技术，因此制备高纯度正庚烷的工艺尤为必要
本文采用模板法，考察不同温度不同时间对合成多级孔H-UiO-66的影响，采用XRD和N2吸附/脱附等温线对其进行表征并考察其动态吸附性能。主要研究内容和结论如下：
应温度为120℃，合成时间6h。
正庚烷/甲基环己烷双组份吸附穿透曲线可知，所有实验条件中，正庚烷都比甲基环己烷优先穿透。
正庚烷/甲基环己烷双
文档评论（0）