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一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置.pdfVIP

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  • 2023-08-25 发布于四川
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一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置.pdf

    本实用新型公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，包括多段加热炉、载管和石英反应管，所述载管设置于所述多段加热炉内部，所述石英反应管设置于载管内部，且所述石英反应管两端外侧设置有用以支撑该石英反应管的引导组件，所述石英反应管内侧一端设置有石英舟。有益效果在于：本实用新型通过限位槽对导向块进行限位导向，以引导石英反应管置入载管内部反应区域，提高产品合成过程的稳定性，防止砷化镓晶体结构受到破坏，提高产品质量；将石英反应管通过引导组件撑起，从而在石英反应管与载管之间形成传热空腔，避免石英反应管与载管内

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210215617 U (45)授权公告日 2020.03.31 (21)申请号 20192

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