约瑟夫森结的制造方法以及量子芯片.pdfVIP

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2023-08-26 发布于四川
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约瑟夫森结的制造方法以及量子芯片.pdf

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本发明公开了一种约瑟夫森结的制造方法以及量子芯片。该制造方法包括：提供衬底；形成掩膜层于衬底上，掩膜层具有贯通的底切沟道，底切沟道由下至上包括第一沟道和宽度小于第一沟道的第二沟道；在第一沟道内的衬底上形成与第二沟道宽度相同的约瑟夫森结；对第一沟道和第二沟道的侧壁进行侧向刻蚀，得到沉积沟道；通过沉积沟道沉积保护材料形成包覆约瑟夫森结顶面和侧面的保护层，以将约瑟夫森结与外界隔离。通过上述方式，本发明能够避免约瑟夫森结电阻老化，且不影响量子芯片的性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116648132 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310621172.X (22)申请日 2023.05.26 (71)申请人本源量子计算科技（合肥）股份有限