一种耐击穿TMBS功率器件.pdfVIP

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2023-08-26 发布于四川
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一种耐击穿TMBS功率器件.pdf

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本实用新型涉及一种耐击穿TMBS功率器件，具有如下结构：包括衬底，在所述衬底的上表面具有外延层，在所述外延层内部设有多个沟槽型肖特基二极管、以及包围所述沟槽型肖特基二极管依次设置的环状第一终端沟槽和第二终端沟槽；具有多个所述沟槽型肖特基二极管的区域为有源区，具有所述第一终端沟槽和所述第二终端沟槽的区域为终端区，所述终端区包围所述有源区；在所述衬底的下表面具有欧姆接触的背金属层；所述第一终端沟槽的宽度为1.3‑1.85μm，所述第二终端沟槽的宽度为1.25‑1.35μm，所述第一终端沟槽与所述第二

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219591405 U (45)授权公告日 2023.08.25 (21)申请号 202320791872.9 (22)申请日 2023.04.12 (73)专利权人苏州同冠微电子有限公司地址