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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一复合界面层、本征GaN层、U型GaN层、第二复合界面层、N型GaN层、第三复合界面层、多量子阱有源层、P型外延层和接触层；所述第一复合界面层包括依次层叠的第一AlxGa1‑xN层、第一ByGa1‑yN层和第一GaN层；第二复合界面层包括依次层叠的第二AlxGa1‑xN层、第二ByGa1‑yN层和第二GaN层；第三复合界面层包括依次层叠的第三AlxGa1‑xN层、第三ByGa
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646431 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310769277.X H01L 33/32 (2010.01)
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