一种半导体紫光紫外发光二极管.pdfVIP

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2023-08-26 发布于四川
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一种半导体紫光紫外发光二极管.pdf

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本发明提出一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体，量子阱层的压电极化系数小于或等于超晶格层的压电极化系数，量子阱层的自发极化系数大于或等于超晶格层的自发极化系数，量子阱层的介电常数系数大于或等于超晶格层的介电常数系数。本发明通过设计量子阱层与超晶格层之间压电极化系数、自发极化系数以及介电常数系数的关系，调控量子阱层和超晶格层之间的自发极化和压电极化效应，抑制热态和冷态的量子限制stark效应，提升热态下紫外发光二极管中量子阱的电子空穴

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116646434 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310782695.2 H01L 33/30 (2010.01) (22)申请日 2023.06.