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- 2023-08-26 发布于四川
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本实用新型涉及一种射频线圈位置可调整的射频离子源,具有绝缘底座、上盖以及保护壳,保护壳上端固定在上盖上,保护壳下端固定在绝缘底座上,绝缘底座上设有进气通道,上盖上设有栅极组件,保护壳内安装有电离腔,电离腔外周套设有射频线圈,射频线圈上固定有高度调节装置,用来调整射频线圈在电离腔外的位置,高度调节装置包括固定组件、支撑柱以及固定螺母,固定组件通过支撑柱,穿过绝缘底座,最后与固定螺母旋紧固定。本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种射频线圈位置可调整的射频离子源。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210223933 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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