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本公开提供一种用于干法刻蚀的修正板的设计方法、修正板和高均匀性干法刻蚀方法，设计方法包括：S1，根据被刻蚀样品表面刻蚀深度分布H(ri)或刻蚀速度分布V(ri)，得到修正板在被刻蚀样品表面的投影形状；S2，根据修正板在被刻蚀样品表面的投影形状和修正板在被刻蚀样品和离子源之间的位置，得到修正板的第一形状。通过设计位于离子源与被刻蚀样品之间的修正板的第一形状，进而调整被刻蚀样品上刻蚀面的形状，对刻蚀面内各点的刻蚀速度进行控制，提高了干法刻蚀、尤其是大口径器件干法刻蚀的均匀性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116644570 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310580874.8
(22)申请日 2023.05.22
(71)申请人 中国科学院光电技术研究所
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