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本公开提供一种拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法，拓扑面发射量子级联激光器的制备方法包括：在衬底上依次形成金属键合层、有源层和上接触层；利用掩膜版对上接触层进行光刻显影，在掩膜版的带图案的位置涂覆光刻胶，之后对上接触层进行带胶的金属的电子束蒸发，形成金属层；对带胶的金属层进行剥离，得到金属拓扑图形层；以及对上接触层进行腐蚀，以在金属拓扑图形层的边缘形成吸收边界，以增强回音壁模式的吸收损耗，使拓扑面发射量子级联激光器保持在拓扑模式的工作状态。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646821 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310714261.9
(22)申请日 2023.06.15
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
地址 1
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