原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述方法包括：提供若干个晶圆，晶圆的正面涂覆有保护膜，且晶圆的背面形成有金属层；将若干个晶圆间隔堆叠于加热管内，且加热管的腔内壁预先粘附有保护膜；采用第一温度加热晶圆，使得部分保护膜挥发并均匀分布于加热管的腔内。基于此，在加热晶圆的过程中，晶圆正面和加热管的腔内壁的部分保护膜均会挥发。且因加热管内气流的流动，晶圆正面的保护膜挥发的部分主要分布于晶圆的中心区域，边缘区域较少。加热管的腔内壁的挥发的保护膜则可弥补晶圆边缘区域挥发成分少的问题，使得保护膜的挥
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116646240 A
(43)申请公布日 2023.08.25
(21)申请号 202310714811.7 H01L 21/3105 (2006.01)
(22)申请日 2023.0
文档评论（0）