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本实用新型涉及一种节省多晶硅光刻版的沟槽IGBT版图，适用于沟槽IGBT金属栅电极、发射极放置前的多晶硅光刻工艺，上述沟槽IGBT版图包括连接金属层，上述连接金属层通过沟道分割为栅极区域、发射极区域；上述沟槽IGBT版图还包括有源区沟槽层，上述有源区沟槽层设有若干有源区沟槽，上述有源区沟槽横贯发射极区域，部分有源区沟槽延伸进入栅极区域；上述沟槽IGBT版图还包括栅极沟槽层，上述栅极沟槽层设有若干栅极沟槽，上述栅极沟槽连贯延伸进入栅极区域的有源区沟槽；上述沟槽IGBT版图还包括沟槽连接孔，上述沟槽
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210244072 U
(45)授权公告日
2020.04.03
(21)申请号 20192
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