拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构.pdfVIP

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2023-08-28 发布于四川
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本实用新型公开了一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，包括层叠设置的：P面电极、P型限制层、P型波导层、有源层、N型波导层、N型限制层、InP衬底、N面电极，有源层包括若干层厚度相异的量子阱层，各层量子阱层之间设置势垒层。有源层为AlGaInAs材料有源层，包括四层量子阱层，厚度分别为7nm、7.5nm、8nm、8.5nm，量子阱层采用In0.76Ga0.12Al0.12As材料，量子阱层之间的势垒层厚度为20nm，势垒层采用Al0.31Ga0.18In0.51As材料。P面电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210245533 U (45)授权公告日 2020.04.03 (21)申请号 20192