《化合物半导体芯片工厂设计规范》编制说明.pdfVIP

一、编制依据 根据 《工业和信息化部办公厅关于印发2021年第一批行业标准修订 和外文版项目计划的通知》（工信厅科函[2021]25 号）要求，工程建设行 业标准 《化合物半导体芯片工厂设计规范》（计划编号：2021-0496T-SJ）， 由中国电子工程设计院有限公司等有关单位共同承担编制工作。 二、编制目的 集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国 家安全的战略性、基础性和先导性产业。2020 年8 月，继 《鼓励软件产 业和集成电路产业发展的若干政策》《进一步鼓励软件产业和集成电路产 业发展的若干政策》，国务院又印发了《新时期促进集成电路产业和软件 产业高质量发展的若干政策》，进一步创新体制机制，鼓励集成电路产业 发展，大力培育集成电路领域企业。化合物半导体芯片作为新一代半导体 器件，以其高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率等特性，在射频、 功率器件、光电子及国防军工等应用领域具有显著优势。随着国家新基建 的逐步开展，各种高频和高功率应用需求的提升，未来将有大量化合物半 导体芯片工厂进入建设期、生产期，但目前化合物半导体芯片工厂的设计 还没有专用标准可依。在工程设计中，针对化合物半导体芯片生产在工艺 制程、能源需求、环保设施等方面的特殊要求，例如芯片的外延、MOCVD 等工序温度高、时间长，特殊气体