《化合物半导体芯片工厂设计规范》.pdfVIP

ICS 点击此处添加ICS号 CCS 点击此处添加CCS号 SJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/T XXXXX—XXXX 化合物半导体芯片工厂设计规范 Codefor design ofcompound semiconductor chipmanufacturingfactory (点击此处添加与国际标准一致性程度的标识) 征求意见稿 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX -XX -XX 发布 XXXX -XX -XX 实施 中华人民共和国工业和信息化部  发 布 SJ/T XXXXX—XXXX 单击或点击此处输入文字。 1 SJ/T XXXXX—XXXX 1 总则 1.0.1 为在化合物半导体芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规，做到 技术先进、安全可靠、经济适用、节约资源，并符合职业卫生和环境保护的 要求，制定本规范。 1.0.2 本规范适用于新建、改建和扩建的生产制造化合物半导体外延片、化合 物半导体芯片工厂的工程设计。 【条文说明】本规范为化合物芯片工厂设计的行业标准，适用于各种类型化 合物半导体芯片工厂的新建、扩建和改建设计。目前常用的化合物半导体材 料有砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP）、氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）等，不 同材料的生产和加工方式有很多种。由于化合物半导体外延、化合物半导体 芯片种类较多，技术发展迅速。为适应不同技术水平芯片生产对于环境的需 求，本规范对于工业、总体、建筑与结构、微振动控制、气体动力、暖通空 调净化、给排水、电气、化学品、空间管理与BIM、绿色低碳等方面制定工 程设计中英遵循的相关规定，确保工程设计做到技术先进、安全可靠、经济 适用、环境友好。 1.0.3 化合物半导体芯片工厂设计，除应符合本标准外，尚应符合国家现行有 关标准、规范的规定。 2 SJ/T XXXXX—XXXX 2 术语 2.0.1 化合物半导体 Compoundsemiconductor 由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的并具有确定的禁带宽度和能 带结构等半导体性质的化合物。 2.0.2 外延 epitaxy 采取化学反应晶体生长技术，在决定晶向的化合物基质衬底表面上生长有相 同晶格结构的一层或多层半导体材料的过程。 2.0.3 金属有机化合物化学气相沉积设备 metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） machine 利用有机金属热分解反应进行气相外延生长金属有机化合物半导体的生长设 备。 3 SJ/T XXXXX—XXXX