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半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-08-30 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

    该发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供一基底；形成牺牲层于基底上，牺牲层包括间隔设置的第一子牺牲层和第二子牺牲层，第一子牺牲层和第二子牺牲层分别与基底接触，第一子牺牲层的刻蚀速率小于第二子牺牲层的刻蚀速率；形成掩膜层于牺牲层上，掩膜层包括多个第一掩膜开口，多个第一掩膜开口位于第一子牺牲层上；通过第一掩膜开口对第一子牺牲层进行刻蚀，以形成多个第一牺牲孔，第一牺牲孔的部分边缘延伸至第二子牺牲层内；通过多个第一牺牲孔对基底进行刻蚀，以形成多个第一电容孔。根据本发明实施例的制造方

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666366 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202210158877.8 (22)申请日 2022.02.21 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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