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一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-30 发布于四川
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一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法.pdf

    本发明涉及电力电子技术领域，具体公开了一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法，包括：沉淀薄膜、旋涂正光刻胶、刻蚀、去除光刻胶、去除残余SiO2、旋涂负光刻胶、电极蒸镀、退火和蒸镀；本发明中PIN二极管通过复合同质外延制备材料，可避免由离子注入或物理气相沉积导致的晶格损伤和污染；P型SiC复合接触电极结构可通过短时间(3min以内)，低温(700‑850℃)快速退火实现欧姆接触，降低生产成本；PIN二极管外延层总厚度为6μm，可在2.5V左右达到1A的开启电流，且在3.5V左右达到36A

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666209 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310859127.8 H01L 29/36 (2006.01)

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