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用于在半导体衬底的前侧与一个或多个晶体管交换信号的技术和机制。在实施例中，集成电路包括诸如静态随机存取存储器(SRAM)单元的单元，该单元包括以各种方式设置在衬底的第一侧中或衬底的第一侧上的晶体管结构。在制造这种晶体管结构之后，衬底材料可以被减薄以暴露与第一侧相对的衬底的第二侧。第一互连和第二互连各自被耦合以交换信号或电压。在另一实施例中，第一互连和第二互连的相应部分在衬底的相对侧上延伸，其中，第一侧和第二侧各自在这些互连部分之间延伸。由于低互连电阻，将互连结构定位在衬底的相对侧上允许性能改进。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116665733 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310644141.6
(22)申请日 2015.09.25
(62)分案原申请数据
201580082557.7
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