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本发明提供一种能够提高半导体装置的良率的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：配线衬底；第1半导体芯片，设置在所述配线衬底的面上；树脂膜，覆盖所述第1半导体芯片；及第2半导体芯片，芯片面积比所述第1半导体芯片大，贴附在所述树脂膜的上表面而安装在所述配线衬底；在从所述第1及第2半导体芯片的积层方向观察时，所述树脂膜整体处于所述第2半导体芯片的底面的内侧区域内。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666368 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202210937852.8
(22)申请日 2022.08.05
(30)优先权数据
2022-024647 202
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