2019-年全国大学生电子设计竞赛综合测评题.docxVIP

2019 年全国大学生电子设计竞赛综合测评题 综合测评注意事项 综合测评于 2019 年 8 月 19 日 8：00 正式开始，8 月 19 日 15：00 结束。 本科组和高职高专组优秀参赛队共用此题。 （3）综合测评以队为单位采用全封闭方式进行，现场不能上网、不能使用手机。 （4）综合测评结束时，制作的实物及《综合测评测试记录与评分表》由全国专家组委派的专家封存，交赛区保管。 多信号发生器 使用题目制定综合测评板上的一片LM324AD（四运放）和一片SN74LS00D（四与非门）芯片设计制作一个多路信号发生器，如下图所示。 设计报告应给出方案设计、详细电路图、参数计算和现场自测数据波形（一律手写），综合测评板编号及3个参赛同学签字需在密封线内，限2页，与综合测评板一同上交。 u uo1 U Uo4 1kΩ 负载 uo3 1kΩ 负载 uo2 多信号发生器 19kHz-21kHz （含LM324AD四运放，SN74LS00D四与非门） +5V 1kΩ 负载 1kΩ 负载 Uo1————方波 Uo2————占空比连续可调窄脉冲 Uo3————正弦波 Uo4————余弦波 一．约束条件 1.一片SN74L.S0OD四与非门芯片（综合测评板上自带）; 2. 一片LM324AD四运算放大器芯片（综合测评板上自带）; 赛区提供固定电阻、固定电容、可变电阻元件（数量不限、参数不限）; 赛区提