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2023-08-30 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区；衬底上的栅电极，在第二方向上延伸；以及有源区上的多个沟道层。多个沟道层在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开。该器件包括在多个沟道层和栅电极之间的多个介电层，多个介电层包括铁电材料或反铁电材料中的至少一种，并且多个介电层中的每个介电层具有不同的矫顽电压。该器件包括在有源区凹陷的凹陷区中的源/漏区，源/漏区在栅电极的两侧上，并且源/漏区与多个沟道层接触。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116666446 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310134747.5 H01L 29/78 (2006.01)