一种设有等离激元耦合层的半导体激光元件.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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一种设有等离激元耦合层的半导体激光元件.pdf

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本发明提供了一种设有等离激元耦合层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和上波导层与电子阻挡层之间设有等离激元耦合层，有源层与上波层之间和上波导层与上限制层之间设有等离激元耦合层，等离激元耦合层在激光元件诱导产生等离激元与有源层的激光耦合放大，放大有源层的激光能量和光输出效率，增强上波导层和下波导层的光封闭效果，降低内部光学损耗，并改善折射率色散，降低光场模式泄漏到衬底，提升远场图像质量，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116667144 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202310520485.6 (22)申请日 2023.05.10 (71)申请人安徽格恩半导体有限公司地址 2