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- 2023-08-30 发布于四川
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本实用新型公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272426 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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