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本发明提供一种Micro‑LED芯片的制备方法，通过先将蓝光外延层上的第一贴合层键合至绿光外延层上的第一贴合层，然后将第三贴合层键合至第二贴合层上，并通过交替进行若干次图形化掩膜以及若干次第一道刻蚀在第一半导体芯片上得到红光正极导电孔、红光负极导电孔、蓝光正极导电孔、蓝光负极导电孔、绿光正极导电孔以及绿光负极导电孔，接着通过蒸镀金属电极，以使金属电极连接贯通上述电极孔，使得该芯片能够形成金属欧姆接触，上述设置使得绿光外延层、蓝光外延层以及红光外延层呈垂直键合设置，能够有效减少芯片面积，使得像素密
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666503 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310541283.X
(22)申请日 2023.05.15
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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