TEM样品的制备方法.pdfVIP

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2023-08-30 发布于四川
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TEM样品的制备方法.pdf

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本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括：步骤一、提供在第一表面上形成有金属保护层的芯片样品。步骤二、将芯片样品固定在FIB系统的样品台上。步骤三、沿第一方向对金属保护层进行第一次FIB切割形成一个凹槽；第一方向为TEM样品的宽度方向，第二方向和第一方向垂直的方向；凹槽沿第一方向延伸。在沿第二方向的剖面上，凹槽的内侧表面呈弧形使凹槽区域的金属保护层的厚度逐渐变化。步骤四、沿第三方向进行第二次FIB切割对芯片样品进行减薄并形成TEM样品，第三方向由金属保护层指向芯片样品，利用金属保护层的厚度调节

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116660299 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202210154880.2 (22)申请日 2022.02.21 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址