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本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管及制作方法、电子设备及存储介质，方法包括：提供一衬底，在衬底上依次设置氧化层和外延层；在外延层远离氧化层一侧设置一沟槽，并在沟槽内设置多晶硅栅；通过在外延层远离氧化层一侧注入第一电荷类型的掺杂物，形成体区，体区设置在多晶硅栅两侧；通过在体区远离外延层一侧注入第二电荷类型的掺杂物，形成发射区，发射区设置在多晶硅栅两侧；设置覆盖多晶硅栅、发射区以及体区的第一金属层；去除衬底，在氧化层远离外延层一侧设置第二金属层，第二金属层通过氧化层上的通孔与外延层接触，将缘栅双极型晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666211 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202210157368.3
(22)申请日 2022.02.21
(71)申请人 珠海零边界集成电路有限公司
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