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单晶硅的培育方法.pdfVIP

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  • 2023-08-30 发布于四川
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单晶硅的培育方法.pdf

    本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用切克劳斯基法从掺杂剂添加到硅熔液中的掺杂剂添加熔液提拉单晶硅并使其生长，所述单晶硅的培育方法中，计算单晶硅中发生异常生长的时刻的掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即临界CV值，以使掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即CV值小于临界CV值的方式控制掺杂剂浓度C及提拉速度V中的至少一者，从而培育单晶硅。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116670338 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202180081277.X (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公

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