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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-08-30 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本发明提供一种能够抑制导通损耗并且能够降低截止时的开关损耗的半导体装置。由发射极p－层(11)、集电极p层(23)、漂移层(10)、发射极电极(18)、集电极电极(28)、发射极侧栅电极(17)、发射极n层(12)、集电极p－层(23a)、集电极侧栅电极(27)、集电极n层(22)构成半导体装置(1)，使隔着栅极绝缘膜(15)与发射极p－层(11)对置的、发射极侧栅电极(17)在第一对向区域中的栅极宽度方向上的长度的合计，大于隔着集电极侧栅极绝缘膜(25)与杂质层(23a)对置的、集电极侧栅电极

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116670814 A (43)申请公布日 2023.08.29 (21)申请号 202180081310.9 伊藤一夫　高仓俊彦　福井宗利　

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