一种ZnO:Li阻变存储器.pdfVIP

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  • 2023-08-31 发布于四川
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本实用新型公开了一种ZnO:Li阻变存储器,所述存储器包括衬底(1)和设置在其上的单个或多个阻变单元,其中,所述阻变单元包括依次设置的底电极(2)、阻变层(3)和顶电极(4),所述阻变层(3)为Li掺杂ZnO薄膜(ZnO:Li)。本实用新型所公开的ZnO:Li阻变存储器能够显著提升阻变存储器的性能,使其具有长的保持时间和优异的耐久性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210272427 U (45)授权公告日 2020.04.07 (21)申请号 20192

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