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- 2023-08-31 发布于四川
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本实用新型提供了一种半导体激光器阵列的封装结构，涉及半导体激光器芯片封装技术领域，包括芯片、第一硬焊料、第二硬焊料以及次热沉；第二硬焊料的外侧面至芯片的距离大于第一硬焊料外侧面至芯片的距离；次热沉底面上设有用于连通第一硬焊料和第二硬焊料的第一金属化区域，次热沉的底面与芯片的高反面之间设有第二间隙。本实用新型提供的半导体激光器阵列的封装结构，第一硬焊料和第二硬焊料非对称的设置于芯片的两侧，能够利用较大长度的第二硬焊料实现对芯片P面的有效散热，第一间隙的设置增加了相邻的芯片单元之间物理隔离，避免了多
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210273010 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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