第二章微电子材料与器件演示文稿.pptVIP

集成电路的发展展望 目标：集成度 、可靠性 、速度 、功耗 、成本 努力方向：线宽 、晶片直径 、设计技术 1992 1995 1998 2001 2004 2007 比特/ 芯片 16 M 64 M 256 M 1 G 4 G 16 G 特征尺寸（μm） 0.5 0.35 0.25 0.18 0.12 0.07 晶片直径（mm） 200 200 200 ~ 400 200 ~ 400 200 ~ 400 200 ~ 400 美国 1992 ~ 2007 年半导体技术发展规划 当前第31页\共有64页\编于星期六\16点 美国 1997 ~ 2012 年半导体技术发展规划 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 比特/ 芯片 256M 1 G 4 G 16 G 64 G 256 G 特征尺寸（ μm） 0.25 0.18 0.15 0.13 0.1 0.07 0.05 晶片直径（mm） 200 300 300 300 300 450 450 当前第32页\共有64页\编于星期六\16点 我国国防科工委对世界硅微电子技术发展的预测 2000 2010 2020 集成度 1 G 64 G 256 G 特征尺寸（ μm） 0.18 0.10 ~ 0.07 0.05 ~ 0.01 晶片直径（mm） 300 400 450 当前第33页\共有64页\编于星期六\16点 可以看出，专家们认为，至少在未来 10 年内，IC 的发展仍将遵循摩尔定律，即集成度每 3 年乘以 4 ，而线宽则是每 6年下降一半。 硅技术过去一直是，而且在未来的一段时期内也还将是微电子技术的主体。目前硅器件与集成电路占了2000多亿美元的半导体市场的 95% 以上。 硅微电子技术发展的几个趋势 1、单片系统集成（SOC） 2、整硅片集成（WSI） 3、半定制电路的设计方法 4、微电子机械系统（MEMS） 5、真空微电子技术 当前第34页\共有64页\编于星期六\16点 硅技术以外的半导体微电子技术发展方向 1、GaAs 技术 电子漂移速度快（硅的5. 7倍），抗辐射能力强，因此在武器系统中有重要作用。 2、GeSi/Si 异质结技术 与目前已极为成熟的硅工艺有很好的兼容性，但可制成比硅器件与集成电路频率更高，性能更好的器件与集成电路，被誉为第二代硅技术。 3、宽禁带材料及器件技术 主要有 SiC 与 GaN 材料，主要优点是工作温度可高达 300 摄氏度以上，因此在军用系统中有重要的应用价值。 当前第35页\共有64页\编于星期六\16点 2.2.8 集成电路发展面临的问题 1、基本限制 如热力学限制。由于热扰动的影响，对数字逻辑系统，开关能量至少应满足 ES 4kT = 1.65×10 -20 J 。当沟道长度为 0.1 ?m 时，开关能量约为 5×10 -18 J。在亚微米范围，从热力学的角度暂时不会遇到麻烦。 又如加工尺度限制，显然原子尺寸是最小可加工单位，但现在的最小加工单位远远大于这个数值。 2、器件与工艺限制 3、材料限制 硅材料较低的迁移率将是影响 IC 发展的一个重要障碍。 4、其他限制 包括电路限制、测试限制、互连限制、管脚数量限制、散热限制、内部寄生耦合限制等。 当前第36页\共有64页\编于星期六\16点 2.2.9 集成电路基本工艺技术 器件设计 芯片制造 封装 电路设计 材料制备 当前第37页\共有64页\编于星期六\16点 Crystal Growth Slicing Graphite Heater Si Melt Si Crystal Po