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- 2023-08-31 发布于四川
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本实用新型提供了一种肖特基二极管芯片，涉及半导体器件技术领域，包括背面金属层、衬底层、外延层、肖特基势垒层、P型保护环、氧化层和正面金属层，背面金属层一端面向外依次设有衬底层和外延层，肖特基势垒层、P型保护环和氧化层均设于外延层远离衬底层的端面，其中肖特基势垒层设于外延层表面的中央，P型保护环设于肖特基势垒层的外围，正面金属层设于肖特基势垒层远离外延层的端面，氧化层设于正面金属层的外围且承接于P型保护环；还包括沟槽钝化保护层，沟槽钝化保护层包覆于衬底层、外延层、P型保护环和氧化层外侧；本实用新型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210272370 U
(45)授权公告日
2020.04.07
(21)申请号 20192
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