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半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-08-31 发布于四川
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半导体器件.pdf

    本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区及第二阱区，第二阱区包括间隔分布的多个掺杂单元，在第一方向上第一阱区的最大宽度大于等于掺杂单元的最大宽度；第二电极层，覆盖外延层及阱区设置。本实用新型实施例提供的半导体器件，在具备优异的正向额定导通能力的同时，具备更强的浪涌电流导通能力。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210272376 U (45)授权公告日 2020.04.07 (21)申请号 20192

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