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1200V NPT-IGBT的研制的中期报告 近年来，新型功率半导体器件在发电、变频器、电动汽车、光伏发电等领域的应用越来越广泛。其中， 1200V NPT-IGBT作为一种新型功率半导体器件，由于其具有优异的电路性能和低开关损耗，受到了广泛关注。 在1200V NPT-IGBT的研制过程中，首先需要确定器件的设计方案，然后进行材料的选取和加工制备。在此基础上，进行器件的制备和测试，最终得到可靠的产品。 目前，我们的研究已经完成了1200V NPT-IGBT的设计方案。在材料方面，我们选取了高纯度硅、n型掺杂硅、p型掺杂硅、氮化硼等材料，并采用多晶硅制备n型和p型基底。在制备过程中，我们采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）和离子注入等技术，成功地制备了1200V NPT-IGBT。 在器件测试方面，我们采用了国际上通用的测试标准，测试了器件的电性能和可靠性。测试结果表明，我们制备的1200V NPT-IGBT具有较低的漏电流、较高的导通电流和较高的开关速度，同时具有良好的可靠性。 综上所述，我们的研究初步实现了1200V NPT-IGBT的研制，为该领域的发展做出了一定的贡献。在今后的工作中，我们将继续优化器件的性能，提高其可靠性和稳定性，进一步推动该领域的发展。