光刻与刻蚀工艺教学课件.pptVIP

集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺西安电子科技大学微电子学院戴显英2013年9月 主要内容光刻的重要性光刻工艺流程光源nnnnnnn光刻胶分辨率湿法刻蚀干法刻蚀 第八章 光刻与刻蚀工艺IC制造中最重要的工艺：①决定着芯片的最小特征尺寸②占芯片制造时间的40-50%③占制造成本的30%nn光刻：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到光刻胶上。刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整地转移到Si片上光刻三要素：①光刻机②光刻版（掩膜版）③光刻胶ULSI对光刻的要求：高分辨率；高灵敏的光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准；nnn 第八章 光刻与刻蚀工艺特征尺寸与栅长的摩尔定律与特征尺寸相应的光源