原创力文档- 3
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- 2023-09-02 发布于四川
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本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区、第一JFET区、和第二JFET区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210296372 U
(45)授权公告日
2020.04.10
(21)申请号 20192
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