多光谱图像传感器和多光谱传感器.pdfVIP

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2023-09-02 发布于四川
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多光谱图像传感器和多光谱传感器.pdf

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本公开的各实施例涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二像素。第一像素具有第一厚度，第一厚度限定在第一波长处谐振的竖直腔，并且第二像素具有不同于第一厚度的第二厚度。第二厚度限定在不同于第一波长的第二波长处谐振的竖直腔。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210296379 U (45)授权公告日 2020.04.10 (21)申请号 20192