2019-2020年CCZ技术+硅生长设备行业分析报告.docVIP

PAGE PAGE 1 CCZ技术+硅生长设备行业分析报告  正文目录 TOC \o 1-3 \h \u 20332 1. CCZ技术优势明显，是单晶硅片生长技术方向 4 23583 1.1. RCZ是当前单晶硅生长技术主流 4 14468 1.2. CCZ技术成本及产品品质优势明显 7 14428 1.3. 困扰CCZ技术大规模生产的瓶颈逐步解决 10 25491 2. 国内外CCZ技术不断完善 12 20194 2.1. 国外少数企业掌握CCZ技术 12 27142 2.2. 协鑫收购SunEdison资产，有望引领国内CCZ发展 13 7278 2.2.1. 多晶硅龙头面临单晶硅降本困扰 13 32385 2.2.2. 背水一战，收购SunEdison开启单晶硅之路 16 1923 3. 扩产竞赛或将继续，设备企业有望受益 16 23935 3.1. 协鑫项目将激化产能竞赛，设备市场规模持续提升 16 14960 3.2. 硅生长设备是核心，约占总投资的30~40% 16 30801 4. 主要公司分析 18 31609 4.1. 天通股份 18 7364 4.2. 晶盛机电 19 图表目录 TOC \o 1-3 \h \u 9747 图1：直拉法原理示意图 4 14331 图2：RCZ加料装臵示意图 6 13101 图3：RCZ法单晶硅生长炉 6 28234 图4：传统直拉法拉制前后热场情况（箭头代表热力流动方向） 7 8721 图5：CCZ技术原理示意图 8 7149 图6：CCZ单晶硅生长炉 8 7491 图7：CCZ拉制工艺流程图 9 8070 图8：CCZ法与RCZ法晶棒电阻率对比（蓝线为RCZ，红线为CCZ） 10 23494 图9：SunEdison FBR技术示意图 11 26486 图10：颗粒硅 11 14826 图11：单晶硅优势 14 28362 图12：单晶市场份额逐年提高 14 26080 图13：单晶、多晶硅价差减小（美元） 15 18030 图14：金刚石线在硅片切割未来应用的预测 15 12575 图15：直拉法单晶硅炉工作原理图 17 26109 图16：热场组成图 17  1. CCZ技术优势明显，是单晶硅片生长技术方向 1.1. RCZ是当前单晶硅生长技术主流 根据晶体生长方式不同，当前制备单晶硅技术主要分为悬浮区熔法（FZ法）和直拉法（CZ法）两种，直拉法相对来说成本更低，生长速率较快，更适合大尺寸单晶硅棒的拉制，目前我国90%以上的太阳能级单晶硅通过直拉法进行生产，预计今后仍将大比例沿用。 直拉法的原理是将高纯度的多晶硅原料放臵在石英坩埚中加热熔化，再将单晶硅籽晶插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，并随着籽晶的提拉晶体逐渐生长形成晶棒。 图1：直拉法原理示意图 最初的直拉法是分批直拉法（Batch Czochralski），一个坩埚只能拉制一根晶棒，并且在拉制完以后坩埚因冷却破裂而无法重复使用。 目前单晶硅工业生产多采用RCZ 多次拉晶技术（Recharged Czocharlski），是在分批直拉法的基础上给设备增加加料装臵改进而来。RCZ法在每次拉制完硅晶棒以后使坩埚保持高温，并通过加料装臵将多晶硅颗粒原料加入到坩埚内剩余的硅熔液中熔化，用于下次晶棒拉制。由于RCZ法不会像分批直拉法那样因冷却坩埚而导致坩埚破裂，使得坩埚的多次利用成为可能。 图2：RCZ加料装臵示意图 图3：RCZ法单晶硅生长炉 但是无论是分批拉制法还是RCZ法，坩埚内硅熔液都会随着单晶硅棒的拉制而变少，引起液面下降，造成拉制环境中热动力环境的不稳定，易引起拉制单根硅晶棒性质的不均一。 图4：传统直拉法拉制前后热场情况（箭头代表热力流动方向） 此外RCZ法的效率提升空间有限。当一根拉制完的晶体在闸门中冷却时，下次拉制的硅原料通过加料管被添加到坩埚中剩余的硅熔液中。因此硅料的添加在晶体冷却时完成。然而进行下一次拉制前必须要等待单硅晶棒在闸门室中冷却完毕并移除，造成了工业生产的低效率。 1.2. CCZ技术成本及产品品质优势明显 CCZ（Continuous Czocharlski）连续直拉法采用特殊直拉单晶炉，晶棒拉制与加料熔化同时进行。CCZ的单晶炉上装有储存颗粒硅原料的漏斗，并与一个振动给料器相连。CCZ使用的坩埚为双层坩埚，颗粒硅通过加料器加入到外层坩埚内，石英挡板能够有效隔绝加料引起的熔液扰流，防止内层坩埚的拉制过程受到加料过程影响。 图5：CCZ技术原理示意图 图6：CCZ单晶硅生长炉 图7：CCZ