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第 37 届中国化学奥林匹克(初赛)试题参考答案
每题实际得分分值应为每题设定分数与占比乘积,总分 100 分。
第 1 题(14 分,占 7% )镓的化合物
1-1 半导体工业中通过刻蚀制造微纳结构。GaN 是重要的半导体材料,通常采用含氯气体
在放电条件下进行刻蚀。写出利用 Ar-Cl2 混合气体放电刻蚀 GaN 的化学方程式。
1-1 2GaN + 3Cl2 → 2GaCl + N (2 分)
3 2
1-2 金属镓熔点很低但沸点很高,其中存在二聚体 Ga 。1990 年,科学家将液态 Ga 和 I
2 2
在甲苯中超声处理,得到了组成为 GaI 的物质。该物质中含有多种不同氧化态的 Ga ,具
有两种可能的结构,分子式分别为 Ga I (A)和 Ga I (B) ,二者对应的阴离子分别为 C 和
4 4 6 6
D,两种阴离子均由 Ga 和 I 构成且其中所有原子的价层均满足 8 电子。写出示出 A 和 B
组成特点的结构简式并标出 Ga 的氧化态,画出 C 和 D 的结构。
0 I III
1-2 A 为[Ga ] [Ga ][Ga I ] (结构简式1 分,氧化态 2 分)
2 4
0 I III
B 为[Ga ] [Ga ] [Ga I ] (结构简式1 分,氧化态 2 分)
2 2 2 6
(各1 分,未标电荷不得分)
1-3 GaI 常用于合成低价 Ga 的化合物.将GaI 与 Ar’Li(Ar’基如图所示,解答中直接采用
简写 Ar’)在-78°C 的甲苯溶液中反应,得到晶体 E,E 中含有 2 个 Ga 原子;E 在乙醚溶
液中与金属钠反应得到晶体 F,X 射线晶体学表明,F 中的Ga-Ga 键长比 E 中短0.028
nm ,关于F 中Ga-Ga 的键级历史上曾有过争议,其中一种观点认为,F 中的Ga 价层满足
8 电子。基于该观点,画出E 和 F 的结构式。
1-3
(各2 分,未标电荷或未写出阳离子扣 1 分)
第 2 题(12 分,占 6% )复盐的组成
在NH Cl-CuCl -H O 体系中,结晶出一种淡蓝色物质A ,其组成可表示为xNH Cl·CuCl ·y H O 。
4 2 2 4 2 2
-
称取 1.4026 g 晶体A ,溶于水并在250 mL 容量瓶中定容。Cl 分析:移取 25.00 mL 溶液,
加入 2 滴 0.5%荧光黄的乙醇溶液和一滴稀 NaOH 溶液,再加 2 mL 0.5%淀粉溶液,用 0.1036
mol·L-1 AgNO3 溶液滴定 (反应1)至出现粉红色,消耗 19.52 mL;Cu2+分析:移取 25.00 mL
溶液,加入 l mol·L-1 H SO 溶液 5 mL,再加固体KI 1.5 g ,混匀井放置 (反应2 ),用0.02864
2 4
mol·L-1 Na S O 溶液滴定 (反应3 ),至棕色较浅时加入2 mL 0.5%淀粉溶液,继续滴至蓝
2 2 3
紫色恰好消失,消耗 17.65 mL。
2-1 写出反应 1 ~ 3 的方程式。
+ -
2-1 反应 1:Ag + Cl → AgCl
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