《变频器控制技术》第2章 变频器中常用的电力电子器件.pptVIP

2.3 电力场效应晶体管MOSFET ——MOSFET的外形、结构与图形符号 2.3.1 MOSFET的外形、结构与图形符号 由电子技术基础可知，功率较小的MOS管的栅极G、源极S和漏极D由电子技术基础可知，功率较小的MOS管的栅极G、源极S和漏极D位于芯片的同一侧，导电沟道平行于芯片表面，是横向导电器件，这种结构限制了它的电流容量。电力MOSFET采取了两次扩散工艺，并将漏极D移到芯片的另一侧的表面上，使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。这种采用垂直导电方式的MOSFET称为VMOSFET。其结构如图2-15(b)所示。 图2-15 电力场效应管 2.3 电力场效应晶体管MOSFET ——MOSFET的外形、结构与图形符号 电力MOSFET管内部结构都含有一个寄生晶体管，所以电力MOSFET无反向阻断能力，当在器件两端加反向电压时器件导通。其等效电路如图2-15(c)所示。 电力场效应管分为耗尽型和增强型，每种类型又分为P沟道和N沟道，分别称为NMOS管和PMOS管。其图形符号及在电路中的文字标识如图2-15(d)所示。 图2-15 电力场效应管 2.3 电力场效应晶体管MOSFET——MOSFET的工作原理 2.3.2 MOSFET的工作原理 增强型NMOS管的工作原理说明如图2-16所示。 当开关S断开时，NMOS管的G极无电压，D、S极所接的两个N区之间没有导电沟道，所以两个N区不能导通，电流ID为0。 当开关S闭合时，由于栅极是绝缘的，所以并不会有电流流过。但栅极的正电压却会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于某一电压UT时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体而成为反型层，沟通了漏极和源极。由于此时D、S极之间加上正向电压，于是有电流ID从D极流入，在经导电沟道从S极流出。电压UT称为开启电压。 图2-16 增强型NMOS管的工作原理说明图 2.3 电力场效应晶体管MOSFET——MOSFET的工作原理 如果改变E2电压的大小，即改变G、S极之间的电压UGS，D、S极之间的内部沟道宽窄就会发生变化，从D极流向S极的电流ID大小也就发生变化，并且电流ID 变化较电压UGS变化大得多，这就是场效应管的放大原理（即电压控制电流变化原理）。为了表示场效应管的放大能力，引入一个参数——跨导gm，gm用下面的公式计算： (2-4) gm反映了G、S极电压UGS对D极电流ID的控制能力，是表述场效应管放大能力的一个重要参数（相当于三极管的β），gm的单位是西门子（S），也可以用A/V表示。 增强型MOS管具有的特点是：在D、S极之间加上正向电压的前提下，当 G、S极之间未加电压（UGS=0）时，D、S极之间没有沟道，ID=0；当G、S极之间加上合适的电压（大于开启电压UT）时，D、S极之间有导电沟道形成，电压 UGS变化时，沟道宽窄会发生变化，电流ID也会变化。 2.3 电力场效应晶体管MOSFET——MOSFET的工作原理 表2-2 电力场效应管的图形符号及特点 注：以上所总结的特点对于增强型均是在D、S极之间加上正向电压的前提下，而对于耗尽型均是在D、S极之间加上负向电压的前提下。 2.3 电力场效应晶体管MOSFET——MOSFET的主要参数 2.3.3 MOSFET的主要参数 1．漏源击穿电压BUDS 漏源击穿电压BUDS决定了电力MOSFET的最高工作电压，使用时应注意结温的影响，结温每升高100℃，BUDS就增加10%。这与双极型器件SCR及GTR等随结温升高而耐压降低的特性恰好相反。 2．漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 在器件内部温度不超过最高工作温度时，电力MOSFET允许通过的最大漏极连续电流和脉冲电流称为漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM。它们是电力MOSFET的电流额定参数。 3．栅源击穿电压BUGS 造成栅源极之间绝缘层被击穿的电压称为栅-源击穿电压BUGS。栅-源极之间的绝缘层很薄，UGS20V就将发生绝缘层击穿。 2.3 电力场效应晶体管MOSFET——MOSFET的主要参数 4．极间电容 电力MOSFET的3个电极之间分别存在极间电容CGS、CGD和CDS。一般生产厂家提供的是漏源-极短路时的输入电容Ciss、共源极输出电容Coss和反馈电