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- 2023-09-06 发布于四川
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本发明的目的在于提供一种不需要高温下的加热的绝缘膜的制造方法。本发明的绝缘膜的制造方法包含沉积工序、加热工序和暴露工序,在沉积工序中,在基板(11)上沉积材料,在加热工序中,在85℃以上且450℃以下对基板(11)进行加热,在暴露工序中,通过对基板(11)上的成膜材料层(12)的表面SA2照射包含氢自由基的等离子体(82),使氢扩散到成膜材料层(12)的结构中并与成膜材料层(12)的成分结合,由等离子体82形成的自由基的照射时间与密度之积为25×1014分钟·个/cm3以上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116711055 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202180082954.X (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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