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本实用新型公开了一种新型功率MOS模组的DBC板结构，包括双面覆有铜箔的DBC板，所述DBC板的一侧设置有与Vo连接的第一主端子，所述DBC板的另一侧设置有分别外接V+和V‑的第二主端子和第三主端子，所述DBC板上还设置有两组功率MOS模组，每组功率MOS模组的漏极连接DBC板上的漏极输入端铜箔，并且漏极输入端铜箔上还引出有漏极控制端子，每组功率MOS模组的源极连接到DBC板上源极输出端铜箔和1个源极控制端铜箔，栅极与栅极控制端铜箔连接。本实用新型采用三个主端子连接功率MOS，简化布线，模块小型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210325786 U
(45)授权公告日
2020.04.14
(21)申请号 20192
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