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半导体结构的制作方法、半导体结构及存储器.pdfVIP

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  • 2023-09-06 发布于四川
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半导体结构的制作方法、半导体结构及存储器.pdf

    本公开提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包含：提供衬底，在衬底上形成薄膜堆叠结构；在薄膜堆叠结构中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽中形成有写入晶体管，第二沟槽沿第一方向延伸，且在第二方向上位于相邻两个写入晶体管之间；利用第二沟槽刻蚀去除部分薄膜堆叠结构，分别形成第一孔道和第二孔道，在第一孔道中形成写入字线，并在第二孔道中形成写入位线；在薄膜堆叠结构公开上表面形成第一开口，在第一开口中形成存储节点；在薄膜堆叠结构上方形成读取晶体管、读取位线和引线，得到半导体结构。据此本公开能够通过

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116709765 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202210178852.4 (22)申请日 2022.02.25 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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